आयनिक फैलाव के लिए, पानी में घुला हुआ फैलाव सकारात्मक आयनों और नकारात्मक आयनों को आयनित कर सकता है, ये आयन विभिन्न आवेशों के साथ कोलाइड कणों की सतह पर सोख लेते हैं, और फिर आयन की सतह पर एक दोहरी विद्युत परत बनाते हैं, जिससे संभावित सुधार होता है। गैर-आयनिक फैलाव के लिए, फैलाव को पानी में घोल दिया जाता है और कोलाइडल कण की सतह पर सोख लिया जाता है, जो कण को ​​घेर लेता है और प्रतिक्रिया अभिकर्मक और प्रतिक्रिया केंद्र के बीच संपर्क में बाधा उत्पन्न करते हुए, स्थैतिक बाधा बनाता है।

सोडियम हेटाफॉस्फेट पॉलीफॉस्फेट से संबंधित है। इसकी आणविक संरचना गोलाकार है, लेकिन इसमें रैखिक लंबी श्रृंखला विन्यास है। यह अंतिम समूह के माध्यम से कण की सतह पर सोख लिया जाता है, जबकि मध्य श्रृंखला मूल रूप से बंधन में शामिल नहीं होती है, जो अतिरिक्त इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रतिकर्षण प्रदान कर सकती है। सोडियम हेटाफॉस्फेट का आयनित आयन पानी में घुलकर कण की सतह पर अवशोषित हो जाता है, जिससे कण की सतह की इलेक्ट्रोनगेटिविटी बढ़ जाती है। इसके अलावा, आयनित Na+ आयन दोहरी विद्युत परत की मोटाई बढ़ा सकते हैं, औरसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटइन दो प्रभावों के अंतर्गत एक फैलावकारी प्रभाव निभाता है।

इन दोनों प्रभावों से कणों के बीच प्रतिकारक बल बढ़ जाएगा, जिसके परिणामस्वरूप समुच्चय संरचना में लिपटा हुआ मुक्त पानी निकल जाएगा, इसलिएसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटफैलानेवाला कणों को फैलाने और चिकनाई देने वाले कणों की भूमिका निभा सकता है। इसका मुख्य उद्देश्य तरल-तरल और ठोस-तरल के बीच अंतरापृष्ठीय तनाव को कम करना है। इसलिएसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटडिस्पर्सेंट भी एक सर्फेक्टेंट है।