आयनिक फैलाव के लिए, पानी में घुलने वाले फैलाव सकारात्मक आयनों और नकारात्मक आयनों को आयनित कर सकते हैं, इन आयनों ने विभिन्न आवेशों के साथ कोलाइड कणों की सतह पर सोख रखा, और फिर आयन की सतह पर एक डबल इलेक्ट्रिक परत का गठन किया, जिससे संभावित सुधार हो गया। गैर-आयनिक फैलाव के लिए, फैलाव को पानी में भंग कर दिया जाता है और कोलाइडल कण की सतह पर adsorbed किया जाता है, जो कण को ​​घेरता है और प्रतिक्रिया अभिकर्मक और प्रतिक्रिया केंद्र के बीच संपर्क में बाधा डालता है।

सोडियम हेटाफॉस्फेट पॉलीफॉस्फेट से संबंधित है। इसकी आणविक संरचना परिपत्र है, लेकिन इसमें एक रैखिक लंबी श्रृंखला विन्यास है। यह अंत समूह के माध्यम से कण की सतह के लिए adsorped है, जबकि मध्य श्रृंखला मूल रूप से संबंध में शामिल नहीं है, जो अतिरिक्त इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रतिकर्षण प्रदान कर सकता है। सोडियम हेटैफॉस्फेट के आयनित आयनों ने कण सतह पर पानी में पानी में घुल जाता है, जिससे कण सतह की इलेक्ट्रोनगेटिविटी बढ़ जाती है। इसके अलावा, आयनित Na+ आयन डबल इलेक्ट्रिक लेयर की मोटाई बढ़ा सकते हैं, औरसोडियम हेक्सामेटैफॉस्फेटइन दो प्रभावों के तहत एक फैलाव प्रभाव निभाता है।

इन दोनों प्रभावों से कणों के बीच प्रतिकारक बल बढ़ेगा, जिसके परिणामस्वरूप कुल संरचना में लिपटे मुक्त पानी की रिहाई होगी, इसलिएसोडियम हेक्सामेटैफॉस्फेटडिस्पर्सेंट कणों को फैलाने और चिकनाई करने वाले कणों की भूमिका निभा सकते हैं। इसका मुख्य उद्देश्य तरल - तरल और ठोस - तरल के बीच अंतर -तनाव को कम करना है। इसलिएसोडियम हेक्सामेटैफॉस्फेटडिस्पर्सेंट भी एक सर्फेक्टेंट है।