அயனி சிதறலுக்கு, நீரில் கரைந்த சிதறல் நேர்மறை அயனிகள் மற்றும் எதிர்மறை அயனிகளை அயனியாக்க முடியும், இந்த அயனிகள் கூழ் துகள்களின் மேற்பரப்பில் வெவ்வேறு கட்டணங்களுடன் உறிஞ்சப்பட்டு, பின்னர் அயனியின் மேற்பரப்பில் இரட்டை மின்சார அடுக்கை உருவாக்கி, சாத்தியமான முன்னேற்றத்திற்கு வழிவகுக்கும். அயனி அல்லாத சிதறல்களுக்கு, சிதறல் நீரில் கரைந்து, கூழ் துகள் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்படுகிறது, இது துகள்களைச் சுற்றி ஸ்டெரிக் தடையை உருவாக்குகிறது, எதிர்வினை மறுஉருவாக்கத்திற்கும் எதிர்வினை மையத்திற்கும் இடையிலான தொடர்பைத் தடுக்கிறது.

சோடியம் ஹெட்டாபாஸ்பேட் பாலிபாஸ்பேட்டிற்கு சொந்தமானது. அதன் மூலக்கூறு அமைப்பு வட்டமானது, ஆனால் இது ஒரு நேரியல் நீண்ட சங்கிலி உள்ளமைவைக் கொண்டுள்ளது. இது இறுதிக் குழுவின் மூலம் துகள்களின் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் நடுத்தர சங்கிலி பிணைப்பில் ஈடுபடவில்லை, இது கூடுதல் மின்னியல் விலக்கத்தை வழங்க முடியும். சோடியம் ஹெட்டாபாஸ்பேட்டின் அயனியாக்கம் செய்யப்பட்ட அயனி துகள் மேற்பரப்பில் உறிஞ்சப்பட்ட நீரில் கரைந்தது, இது துகள் மேற்பரப்பின் எலக்ட்ரோநெக்டிவிட்டியை அதிகரித்தது. கூடுதலாக, அயனியாக்கம் செய்யப்பட்ட Na+ அயனிகள் இரட்டை மின்சார அடுக்கின் தடிமனை அதிகரிக்கலாம் மற்றும்சோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாபாஸ்பேட்இந்த இரண்டு விளைவுகளின் கீழ் ஒரு பரவல் விளைவை வகிக்கிறது.

இந்த இரண்டு விளைவுகளும் துகள்களுக்கு இடையில் விரட்டும் சக்தியை அதிகரிக்கும், இதன் விளைவாக மொத்த அமைப்பில் மூடப்பட்டிருக்கும் இலவச நீர் வெளியிடப்படுகிறது, எனவேசோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாபாஸ்பேட்சிதறல் துகள்கள் மற்றும் மசகு துகள்களை சிதறடிக்கும் பாத்திரத்தை வகிக்க முடியும். அதன் முக்கிய நோக்கம் திரவ - திரவ மற்றும் திட - திரவ இடையே இடைமுக பதற்றம் குறைக்க வேண்டும். எனவேசோடியம் ஹெக்ஸாமெட்டாபாஸ்பேட்dispersant ஒரு சர்பாக்டான்ட் ஆகும்.