ionic dispersant साठी, पाण्यात विरघळणारे dispersant सकारात्मक आयन आणि ऋण आयन आयनीकरण करू शकतात, हे आयन कोलॉइड कणांच्या पृष्ठभागावर वेगवेगळ्या चार्जांसह शोषले जातात आणि नंतर आयनच्या पृष्ठभागावर दुहेरी विद्युत थर तयार करतात, ज्यामुळे संभाव्य सुधारणा होते. नॉन-आयनिक डिस्पर्संटसाठी, डिस्पर्संट पाण्यात विरघळला जातो आणि कोलाइडल कणाच्या पृष्ठभागावर शोषला जातो, जो कणभोवती असतो आणि स्टेरीक अडथळा तयार करतो, प्रतिक्रिया अभिकर्मक आणि प्रतिक्रिया केंद्र यांच्यातील संपर्कात अडथळा आणतो.

सोडियम हेटाफॉस्फेट पॉलीफॉस्फेटशी संबंधित आहे. त्याची आण्विक रचना गोलाकार आहे, परंतु त्यात एक रेखीय लांब साखळी संरचना आहे. हे शेवटच्या गटाद्वारे कणांच्या पृष्ठभागावर शोषले जाते, तर मधली साखळी मुळात बाँडिंगमध्ये गुंतलेली नसते, जी अतिरिक्त इलेक्ट्रोस्टॅटिक प्रतिकर्षण प्रदान करू शकते. सोडियम हेटाफॉस्फेटचे आयनीकृत आयन कण पृष्ठभागावर शोषलेल्या पाण्यात विरघळले, ज्यामुळे कणांच्या पृष्ठभागाची विद्युत ऋणात्मकता वाढली. याव्यतिरिक्त, आयनीकृत Na+ आयन दुहेरी इलेक्ट्रिक लेयरची जाडी वाढवू शकतात आणिसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटया दोन प्रभावांखाली एक विखुरलेला प्रभाव बजावते.

हे दोन्ही परिणाम कणांमधील तिरस्करणीय शक्ती वाढवतील, परिणामी एकूण रचनामध्ये गुंडाळलेले मुक्त पाणी सोडले जाईल, त्यामुळेसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटdispersant कण dispersing आणि वंगण कण भूमिका बजावू शकता. त्याचा मुख्य उद्देश द्रव - द्रव आणि घन - द्रव यांच्यातील इंटरफेसियल तणाव कमी करणे आहे. तरसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटdispersant देखील एक surfactant आहे.