आयनिक फैलावसाठी, पाण्यात विरघळलेले विखुरलेले सकारात्मक आयन आणि नकारात्मक आयन आयनीकरण करू शकते, हे आयन वेगवेगळ्या शुल्कासह कोलोइड कणांच्या पृष्ठभागावर शोषले गेले आणि नंतर आयनच्या पृष्ठभागावर दुहेरी विद्युत थर तयार केले, ज्यामुळे संभाव्य सुधारणा होईल. नॉन-आयनिक फैलावसाठी, विखुरलेला पाण्यात विरघळला जातो आणि कोलोइडल कणांच्या पृष्ठभागावर शोषून घेतला जातो, जो कणभोवती असतो आणि स्टेरिक अडथळा निर्माण करतो, प्रतिक्रिया अभिकर्मक आणि प्रतिक्रिया केंद्राच्या दरम्यानच्या संपर्कात अडथळा आणतो.

सोडियम हेटाफॉस्फेट पॉलीफॉस्फेटचा आहे. त्याची आण्विक रचना परिपत्रक आहे, परंतु त्यात एक रेखीय लांब साखळी कॉन्फिगरेशन आहे. हे शेवटच्या गटाद्वारे कणांच्या पृष्ठभागावर शोषले जाते, तर मध्यम साखळी मुळात बाँडिंगमध्ये गुंतलेली नसते, जे अतिरिक्त इलेक्ट्रोस्टॅटिक रीपल्शन प्रदान करू शकते. कण पृष्ठभागावर पाण्यात विरघळलेल्या सोडियम हेटाफॉस्फेटचे आयनीकृत आयनॉन कण पृष्ठभागावर विसर्जित केले, ज्यामुळे कण पृष्ठभागाची इलेक्ट्रोनगेटिव्हिटी वाढली. याव्यतिरिक्त, आयनीकृत ना+ आयन दुहेरी इलेक्ट्रिक लेयरची जाडी वाढवू शकतात आणिसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटया दोन प्रभावांखाली एक विखुरलेला प्रभाव खेळतो.

या दोन्ही प्रभावांमुळे कणांमधील प्रतिकूल शक्ती वाढेल, परिणामी एकूण संरचनेत लपेटलेले मुक्त पाणी सोडले जाईल, म्हणूनसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटविखुरलेला कण आणि वंगण घालणारी कणांची भूमिका बजावू शकते. द्रव - द्रव आणि घन - द्रव दरम्यान इंटरफेसियल तणाव कमी करणे हा त्याचा मुख्य हेतू आहे. तरसोडियम हेक्सामेटाफॉस्फेटविखुरलेला देखील एक सर्फॅक्टंट आहे.