આયનીય વિખેરનાર માટે, પાણીમાં ઓગળેલા વિખેરનાર હકારાત્મક આયનો અને નકારાત્મક આયનોનું આયનીકરણ કરી શકે છે, આ આયનો કોલોઇડ કણોની સપાટી પર અલગ-અલગ ચાર્જ સાથે શોષાય છે અને પછી આયનની સપાટી પર ડબલ ઇલેક્ટ્રિક લેયર બનાવે છે, જે સંભવિત સુધારણા તરફ દોરી જાય છે. બિન-આયોનિક વિખેરનાર માટે, વિખેરનાર પાણીમાં ઓગળી જાય છે અને કોલોઇડલ કણની સપાટી પર શોષાય છે, જે કણની આસપાસ રહે છે અને સ્ટીરિક અવરોધ બનાવે છે, જે પ્રતિક્રિયા રીએજન્ટ અને પ્રતિક્રિયા કેન્દ્ર વચ્ચેના સંપર્કને અવરોધે છે.

સોડિયમ હેટાફોસ્ફેટ પોલીફોસ્ફેટનું છે. તેનું મોલેક્યુલર માળખું ગોળાકાર છે, પરંતુ તેમાં એક રેખીય લાંબી સાંકળ ગોઠવણી છે. તે અંતિમ જૂથ દ્વારા કણની સપાટી પર શોષાય છે, જ્યારે મધ્યમ સાંકળ મૂળભૂત રીતે બંધનમાં સામેલ નથી, જે વધારાના ઇલેક્ટ્રોસ્ટેટિક પ્રતિકૂળ પ્રદાન કરી શકે છે. સોડિયમ હેટાફોસ્ફેટનું આયનાઇઝ્ડ આયન કણોની સપાટી પર શોષાયેલા પાણીમાં ઓગળી જાય છે, જેણે કણોની સપાટીની ઇલેક્ટ્રોનગેટિવિટી વધારી છે. વધુમાં, ionized Na+ આયનો ડબલ ઇલેક્ટ્રિક લેયરની જાડાઈ વધારી શકે છે, અનેસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટઆ બે અસરો હેઠળ વિખેરાઈ અસર ભજવે છે.

આ બંને અસરો કણો વચ્ચેના પ્રતિકૂળ બળને વધારશે, પરિણામે એકંદર રચનામાં આવરિત મુક્ત પાણીને મુક્ત કરવામાં આવશે, તેથીસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટdispersant કણો અને લુબ્રિકેટિંગ કણો વિખેરવાની ભૂમિકા ભજવી શકે છે. તેનો મુખ્ય હેતુ પ્રવાહી - પ્રવાહી અને ઘન - પ્રવાહી વચ્ચેના આંતરફેસીયલ તણાવને ઘટાડવાનો છે. તેથીસોડિયમ હેક્સામેટાફોસ્ફેટdispersant પણ surfactant છે.